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簡要描述:歷時(shí)6年的研發(fā),荷蘭飛納公司于2018年推出了首套穩(wěn)定運(yùn)行的臺(tái)式場發(fā)射(FEG)電鏡能譜一體機(jī)Phenom LE臺(tái)式場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī),采用肖特基場發(fā)射電子槍(FEG),集背散射電子成像、二次電子成像和能譜分析于一體。飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡操作簡單,效率高,無需防震臺(tái)和磁屏蔽,無樓層要求,只需要一張承重200kg的桌子。
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歷時(shí)6年的研發(fā),荷蘭飛納公司于2018年推出了首套穩(wěn)定運(yùn)行的臺(tái)式場發(fā)射(FEG)電鏡能譜一體機(jī)Phenom LE臺(tái)式場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī),采用肖特基場發(fā)射電子槍(FEG),集背散射電子成像、二次電子成像和能譜分析于一體。飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡操作簡單,效率高,無需防震臺(tái)和磁屏蔽,無樓層要求,只需要一張承重200kg的桌子。
飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī)zhuan利腔室設(shè)計(jì)得到*的探測角度和工作距離,顯著提高X射線的收集效率。該能譜采用穩(wěn)定堅(jiān)固的超薄Si3N4窗口,透過率在0.26-0.6 KeV低能量范圍,是聚合物窗口的2-3倍,適合輕元素檢測和低電壓能譜分析。全能量范圍平均透過率比聚合物窗口高35%,進(jìn)一步提高了能譜儀的X射線計(jì)數(shù)率。
儀器特點(diǎn):
1、高分辨臺(tái)式場發(fā)射電鏡:肖特基場發(fā)射電子源,分辨率優(yōu)于2.5nm@15kV
2、zui快的場發(fā)射掃描電鏡:內(nèi)置真空鎖,15s抽真空,實(shí)時(shí)導(dǎo)航,全面跟蹤樣品
3、使用zui方便的場發(fā)射電鏡:30分鐘培訓(xùn)即可上手,無需噴金直接觀察不導(dǎo)電樣品
4、場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī):原廠集成能譜儀,B(5)-Am(95)元素探測
5、升級(jí)功能:飛納臺(tái)式場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī)可選配所有的樣品杯硬件選件,還可選配孔徑、顆粒、纖維統(tǒng)計(jì)分析測量系統(tǒng)和3D粗糙度重建等軟件選件。
Phenom LE臺(tái)式場發(fā)射電鏡能譜一體機(jī)主要參數(shù):
光學(xué)顯微鏡 | 放大 20-135 倍 |
電鏡放大 | zui高 500,000 倍 |
探測器 | 標(biāo)配背散射電子、二次電子探測器 |
燈絲材料 | 肖特基場發(fā)射電子源 |
分辨率 | 優(yōu)于 2.5 nm@15kV |
放置環(huán)境 | 普通實(shí)驗(yàn)室或辦公室、廠房 |
加速電壓 | 2 kV-15 kV 連續(xù)可調(diào) |
抽真空時(shí)間 | 小于 15 秒 |
探測元素范圍 | B(5)- Am(95)號(hào)元素 |
能譜探測器 | 硅漂移探測器(SDD) |
輸出報(bào)告 | DOCX |
冷卻方式 | 無液氮 Peltier 效應(yīng)電制冷 |
X射線分析模式 | 15 kV |
能量分辨率 | <132eV(Mn Kα) |
窗口 | Si3N4 |
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